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武漢理工大學(xué)泰克微電子實(shí)驗(yàn)臺(tái)完成培訓(xùn)工作
近日，武漢理工大學(xué)微電子實(shí)驗(yàn)臺(tái)已完成調(diào)試驗(yàn)收工作，我司組織廠家完成對(duì)實(shí)驗(yàn)臺(tái)的培訓(xùn)工作。此實(shí)驗(yàn)臺(tái)為泰克結(jié)合自身在微電子和半導(dǎo)體領(lǐng)域的測(cè)試經(jīng)驗(yàn),融合不同類型廠商對(duì)人才能力的要求,開創(chuàng)性的設(shè)計(jì)微電子與集成電路實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，將產(chǎn)業(yè)前沿測(cè)試設(shè)備、測(cè)試方法和測(cè)試?yán)砟钜氲浇虒W(xué)環(huán)節(jié)中,為微電子與集成電路實(shí)踐教學(xué)注入新的活力。
本實(shí)驗(yàn)臺(tái)包含泰克示波器、函數(shù)信號(hào)發(fā)生器、高精度數(shù)字源表、臺(tái)式數(shù)字萬用表、LCR數(shù)字電橋以及多種實(shí)驗(yàn)?zāi)K。能夠完成：半導(dǎo)體器件IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)、半導(dǎo)體器件CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)、半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試實(shí)驗(yàn)、PN結(jié)正向壓降與溫度關(guān)系的研究與應(yīng)用、MOS器件靜態(tài)特性測(cè)試、MOS器件寄生電容測(cè)試、MOS器件動(dòng)態(tài)開關(guān)特性分析實(shí)驗(yàn)、MOS器件開關(guān)損耗分析實(shí)驗(yàn)、晶體管靜態(tài)工作點(diǎn)分析實(shí)驗(yàn)等等多種實(shí)驗(yàn)。
